ロイター「SKハイニックス、インテルと米でメモリー生産協議　合弁設立も検討」

SKハイニックスが米国で初めてメモリー半導体を生産するため、インテルとの協力策を協議していることが分かった。

ロイター通信は9月16日、複数の関係者の話として、SKハイニックスとインテルが最近、米国内でのメモリー生産に向けた協議を進めていると報じた。

SKハイニックスはロイター通信に対し、「メモリー事業の競争力を強化するため、追加の生産拠点の構築を含むさまざまな案を検討している」と説明した。一方で、「現時点で決まった事項はない」と付け加えた。

協力案の一つとして、インテルが米オハイオ州で建設中の半導体生産施設の一部をSKハイニックスが賃借する案が取り沙汰されている。ロイター通信によると、インテルとSKハイニックスに加え、安定したメモリー供給を求める大手クラウド企業が参加する合弁会社の設立案も協議されている。

ただ、協議はまだ初期段階にある。合意に達した場合でも、オハイオ州で生産する製品が高帯域幅メモリー（HBM）、DRAM、NAND型フラッシュメモリーのいずれになるかは、なお確定していない。

SKハイニックスは現在、米インディアナ州に40億ドル（約6200億円）を投じ、次世代HBMのパッケージング施設を建設している。韓国などで生産したDRAMをHBMに組み立てる後工程の施設だ。

インテルとの協力が実現すれば、SKハイニックスにとって米国でメモリーの前工程生産に乗り出す初の事例となる見通しだ。