サムスン電子、HBM5性能を2倍に引き上げへ　次世代メモリー戦略を公開

サムスン電子は9月1日、次世代メモリーの容量と帯域幅を大幅に高めながら、発熱問題も改善する「CUBE」戦略を公開した。第8世代の高帯域幅メモリー（HBM5）と次世代メモリー「zHBM」を前面に、人工知能（AI）メモリー時代の主導権を強化する。

サムスン電子メモリー事業部で新事業企画チーム長を務めるチェ・ジャンソク常務は同日、台湾・台北で開かれた世界最大級の半導体材料・部品・装置の展示会「タイワン2026」で戦略を発表した。CUBEは、メモリー性能を左右する容量（capacity）、最適化（utilization）、帯域幅（bandwidth）、電力・熱効率（efficiency）の頭文字を取ったものだ。単純にメモリーを垂直に積み重ねるのではなく、3次元（3D）構造を活用して容量、帯域幅、電力・熱効率を同時に高めることが中核となる。

この戦略を通じ、サムスン電子はHBM5の性能をHBM4E（第7世代）に比べて2倍に引き上げる方針だ。熱抵抗は従来のHBMの75〜90%水準まで下げる。zHBMはHBM5の8倍の性能実現を目標とする。zHBMは、HBMを画像処理装置（GPU）やニューラル・プロセシング・ユニット（NPU）など演算用チップの上に垂直に積層した半導体だ。従来のHBMに比べ、性能と電力効率を大幅に高められる技術として知られる。サムスン電子は2028年に次世代NAND型フラッシュメモリー「zNAND-O」の初の試作品テストに着手する構想も示した。

ウォン・ジョンファン 韓経ドットコム（Hankyung.com）記者 won0403@hankyung.com